کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944150 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of La on the electrical properties of HfSiON: From diffusion to Vth shifts
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- TiN/HfSiON/SiO2/Substrate stacks were investigated with C-V measurements and SIMS.
- No linear relationship of the threshold voltage on the La concentration at the HfSiON/SiO2 was found.
- A linear relationship of the threshold voltage on the La sheet concentration in the HfSiON was found.
- Crystallization of the HfSiON is proposed as explanation of the experimental findings.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 200-203
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 200-203
نویسندگان
M. Hackenberg, P. Pichler, S. Baudot, Z. Essa, M. Gro-Jean, C. Tavernier, S. Schamm-Chardon,