کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944169 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The intrinsic parameter fluctuation on high-κ/metal gate bulk FinFET devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 302-305
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 302-305
نویسندگان
Yiming Li, Hsin-Wen Su, Yu-Yu Chen, Sheng-Chia Hsu, Wen-Tsung Huang,