کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944174 1450372 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect energy levels of the As-As dimer at InGaAs/oxide interfaces: A first principles study
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Defect energy levels of the As-As dimer at InGaAs/oxide interfaces: A first principles study
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 60-63
نویسندگان
, ,