کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944175 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transformation of a metal-insulator-silicon structure into a resonant-tunneling diode
ترجمه فارسی عنوان
تبدیل یک ساختار فلزی-سیلیکون به یک دیود تونل رزونانس
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ساختار سیلیکون اکسید نازک فلزی، خوب کوانتوم، تونل زنی رزونانس الکترونی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 270-273
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 270-273
نویسندگان
G.G. Kareva, M.I. Vexler, Yu.Yu. Illarionov,