کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944332 | 1450383 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of air gap dielectrics by nanoimprint lithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We report a powerful new route to fabricate air gap dielectrics with well-defined pore geometries. ⺠Method utilizes the combination of nanoimprint lithography and a sacrificial template approach. ⺠Successful fabrication of defect free mechanically robust air gap films (ultra-low k value of 1.9). ⺠Attractive candidates as interlayer dielectrics for next-generation integrated circuit applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 89-96
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 89-96
نویسندگان
Burcin Erenturk, Myoung-Hwan Park, Vincent M. Rotello, Kenneth R. Carter,