کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944367 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mask aligner lithography simulation - From lithography simulation to process validation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The speed of the dissolution of a photoresist film under development is monitored. ⺠The dissolution rate data reveals depth-dependent characteristics of the resist. ⺠The data is used to calibrate a resist model including surface inhibition. ⺠A comparison between simulations using that model and real profiles is presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 121-124
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 121-124
نویسندگان
K. Motzek, S. Partel, A. Bramati, U. Hofmann, N. Ãnal, M. Hennemeyer, M. Hornung, A. Heindl, M. Ruhland, A. Erdmann, P. Hudek,