کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944367 1450383 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mask aligner lithography simulation - From lithography simulation to process validation
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Mask aligner lithography simulation - From lithography simulation to process validation
چکیده انگلیسی
► The speed of the dissolution of a photoresist film under development is monitored. ► The dissolution rate data reveals depth-dependent characteristics of the resist. ► The data is used to calibrate a resist model including surface inhibition. ► A comparison between simulations using that model and real profiles is presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 121-124
نویسندگان
, , , , , , , , , , ,