کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944395 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mask roughness impact on extreme UV and 193Â nm immersion lithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The optical system acts as a low pass filter for mask LER frequencies above a maximum cut off. ⺠The impact of illumination symmetry is assessed by applying two different illuminations on ArF. ⺠For vertical lines, dipole illuminations attenuates the roughness transfer but aerial image degrades. ⺠EUV exposures confirm the results and are compared with a similar study on a different platform.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 138-141
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 138-141
نویسندگان
Konstantinos Garidis, Alessandro Vaglio Pret, Roel Gronheid,