کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944395 1450383 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mask roughness impact on extreme UV and 193 nm immersion lithography
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Mask roughness impact on extreme UV and 193 nm immersion lithography
چکیده انگلیسی
► The optical system acts as a low pass filter for mask LER frequencies above a maximum cut off. ► The impact of illumination symmetry is assessed by applying two different illuminations on ArF. ► For vertical lines, dipole illuminations attenuates the roughness transfer but aerial image degrades. ► EUV exposures confirm the results and are compared with a similar study on a different platform.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 138-141
نویسندگان
, , ,