کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944590 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of CdSe nanoparticles in polymethylmethacrylate tunneling layer on the performance of nonvolatile organic memory device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We report on the use of a controlled concentration of CdSe NPs to tune the memory. ⺠CdSe NPs dispersed in polymethylmethacrylate (PMMA) insulating layer. ⺠The successive charging and discharging of the CdSe NPs by hole injection.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 305-308
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 305-308
نویسندگان
Jung-Min Kim, Ik-Soo Shin, Seok-Hyun Yoo, Jun-Ho Jeun, Jihee Lee, Ayoung Kim, Han-Soo Kim, Ziyi Ge, Jong-In Hong, Jin Ho Bang, Yong-Sang Kim,