کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944593 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Facile fabrication of sub-20-nm nanochannels based on crystallinity-dependent anisotropic etching of silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We utilized the anisotropic wet etching of silicon to fabricate nanochannels. ⺠Nanochannels were formed in silicon wafer by single step of microscale lithography. ⺠The massively parallel and wafer scale nanochannel fabrication was easily achieved. ⺠No nanolithography or complicated processes were introduced. ⺠The minimum feature size was 16 nm in depth and 175 nm in width.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 309-312
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 309-312
نویسندگان
Youngsup Song, Min-Ook Kim, Dae-sung Kwon, Yong-Jun Kim, Jongbaeg Kim,