| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 6944602 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Electrical properties of Cr-doped SrTiO3 films as a switch material in ReCTF devices
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی کامپیوتر
													سخت افزارها و معماری
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												
												چکیده انگلیسی
												⺠The electrical properties of Cr-SrTiO3 films deposited on p-Si(1 0 0) substrates are investigated. ⺠Optimized Cr-SrTiO3 films used in a new type of charge-trap flash memory, named ReCTF (ReRAM + CTF). ⺠ReCTF device exhibited ultra-fast switching performance and improved retention characteristics.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 321-324
											Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 321-324
نویسندگان
												Yujeong Seo, Minyeong Song, Ho-Myoung An, Hee-Dong Kim, Tae Geun Kim, Yun-Mo Sung, Yeon Soo Kim,