کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944602 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of Cr-doped SrTiO3 films as a switch material in ReCTF devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The electrical properties of Cr-SrTiO3 films deposited on p-Si(1 0 0) substrates are investigated. ⺠Optimized Cr-SrTiO3 films used in a new type of charge-trap flash memory, named ReCTF (ReRAM + CTF). ⺠ReCTF device exhibited ultra-fast switching performance and improved retention characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 321-324
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 321-324
نویسندگان
Yujeong Seo, Minyeong Song, Ho-Myoung An, Hee-Dong Kim, Tae Geun Kim, Yun-Mo Sung, Yeon Soo Kim,