کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944602 1450383 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of Cr-doped SrTiO3 films as a switch material in ReCTF devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electrical properties of Cr-doped SrTiO3 films as a switch material in ReCTF devices
چکیده انگلیسی
► The electrical properties of Cr-SrTiO3 films deposited on p-Si(1 0 0) substrates are investigated. ► Optimized Cr-SrTiO3 films used in a new type of charge-trap flash memory, named ReCTF (ReRAM + CTF). ► ReCTF device exhibited ultra-fast switching performance and improved retention characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 321-324
نویسندگان
, , , , , , ,