کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944635 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Application of nanosphere lithography to charge trap flash memories with patterned Si3N4 trap layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Nanosphere lithography is applied to the charge trap flash memories. ⺠A 500-nm-diameter polystyrene bead array was used as a mask to make patterns. ⺠The pattern depth measured by atomic force microscope was about 4 nm. ⺠The patterned MANOS capacitor shows a good memory characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 347-350
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 347-350
نویسندگان
Ho-Myoung An, Hee-Dong Kim, Hee-Wook You, Kyeong Heon Kim, Yun Mo Sung, Won-Ju Cho, Tae Geun Kim,