کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944650 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive switching characteristics of NiO/Ni nanostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠ReRAM is one of storage device with reversible switching phenomena. ⺠The devices show poor reproducibility of switching voltages. ⺠We found it that the reproducibility is improvement by suppression of the oxide area. ⺠For practical application of ReRAM, we suggest the technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 367-370
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 367-370
نویسندگان
Shintaro Otsuka, Saeko Furuya, Ryota Takeda, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara, Tadataka Watanabe, Yoshiki Takano, Kouichi Takase,