کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944650 1450383 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive switching characteristics of NiO/Ni nanostructure
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Resistive switching characteristics of NiO/Ni nanostructure
چکیده انگلیسی
► ReRAM is one of storage device with reversible switching phenomena. ► The devices show poor reproducibility of switching voltages. ► We found it that the reproducibility is improvement by suppression of the oxide area. ► For practical application of ReRAM, we suggest the technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 367-370
نویسندگان
, , , , , , , ,