کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944676 | 1450383 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Schottky Barrier Height reduction using strained silicon-on-insulator and dopant segregation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We have developed a test structure for very low Schottky Barrier Height extraction. ⺠We study the effect of dopant segregation associated to strained silicon on PtSi. ⺠We show the cumulative effects of two Schottky Barrier Height lowering methods.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 391-394
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 391-394
نویسندگان
Florent Ravaux, Emmanuel Dubois, Zhenkun Chen,