کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944676 1450383 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Schottky Barrier Height reduction using strained silicon-on-insulator and dopant segregation
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Schottky Barrier Height reduction using strained silicon-on-insulator and dopant segregation
چکیده انگلیسی
► We have developed a test structure for very low Schottky Barrier Height extraction. ► We study the effect of dopant segregation associated to strained silicon on PtSi. ► We show the cumulative effects of two Schottky Barrier Height lowering methods.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 98, October 2012, Pages 391-394
نویسندگان
, , ,