| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 6944753 | 1450391 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reliability of III-V devices - The defects that cause the trouble
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Mechanisms of hot electron degradation in HEMTs. ⺠Defects responsible for recoverable degradation in HEMTs. ⺠Defects responsible for non-recoverable degradation in HEMTs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 90, February 2012, Pages 3-8
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 90, February 2012, Pages 3-8
نویسندگان
Sokrates T. Pantelides, Yevgeniy Puzyrev, Xiao Shen, Tania Roy, Sandeepan DasGupta, Blair R. Tuttle, Daniel M. Fleetwood, Ronald D. Schrimpf,