کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6944790 1450391 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of silicon nitride charging
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Investigation of silicon nitride charging
چکیده انگلیسی
The TSDC spectra of MIM capacitors with different SiN film thicknesses were analyzed assuming a minimum number of three charging mechanisms, which are attributed to dipolar and space charge polarization. Two relatively narrow contributions appear in the low temperature region and a broad contribution appears in high temperature region. All these contributions exhibit a relatively small dependence on the film thickness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 90, February 2012, Pages 145-148
نویسندگان
, , , ,