کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944790 | 1450391 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of silicon nitride charging
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of silicon nitride charging Investigation of silicon nitride charging](/preview/png/6944790.png)
چکیده انگلیسی
The TSDC spectra of MIM capacitors with different SiN film thicknesses were analyzed assuming a minimum number of three charging mechanisms, which are attributed to dipolar and space charge polarization. Two relatively narrow contributions appear in the low temperature region and a broad contribution appears in high temperature region. All these contributions exhibit a relatively small dependence on the film thickness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 90, February 2012, Pages 145-148
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 90, February 2012, Pages 145-148
نویسندگان
Matroni Koutsoureli, Eleni Papandreou, Loukas Michalas, George Papaioannou,