کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6945815 | 1450520 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bias temperature instability in scaled CMOS technologies: A circuit perspective
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Bias temperature instability has impacted scaling of conventional poly-Si/SiON CMOS technologies and remains a critical device reliability mechanism for metal gate/high-k stacks in planar and FinFET device architecture. The material and modeling aspects have been extensively studied using discrete MOSFETs and more recently expanded to CMOS circuits to demonstrate its impact on digital circuit aging. In this paper we summarize our understanding of the BTI mechanism in scaled CMOS technologies and discuss the correlation between discrete device degradation and circuit/SRAM aging.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 81, February 2018, Pages 31-40
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 81, February 2018, Pages 31-40
نویسندگان
A. Kerber, T. Nigam,