کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
702510 | 1460823 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Admittance spectroscopy of a phosphorus-doped n-diamond homoepitaxial layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Generation and recombination processes of electrons through phosphorus (P) donor are analyzed by admittance spectroscopy for a Ni/Au Schottky contact on an n-diamond epilayer. The dependence of capacitance and conductance frequency on temperature is interpreted by Shockley–Read–Hall statistics. The thermal ionization energy and capture cross-section of P donor are evaluated to be 0.54 ± 0.02 eV and (4.5 ± 2.0) × 10− 17 cm2, respectively. Broadening of the conductance–frequency curve is observed, which is believed to be evidence of a long Debye tail of electron distribution at the depletion layer edge.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 14, Issues 11–12, November–December 2005, Pages 2011–2014
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 14, Issues 11–12, November–December 2005, Pages 2011–2014
نویسندگان
Yasuo Koide, S. Koizumi, H. Kanda, M. Suzuki, H. Yoshida, N. Sakuma, T. Ono, T. Sakai,