کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
703367 | 1460821 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High RF output power for H-terminated diamond FETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High RF output power for H-terminated diamond FETs High RF output power for H-terminated diamond FETs](/preview/png/703367.png)
چکیده انگلیسی
We report great improvement of RF output power for H-terminated diamond field-effect transistors (FETs). For the FET device with a gate width of 1 mm and a gate length of 0.4 μm, the maximum output power (Pout) is 1.26 W, the maximum power gain is 23.2 dB, and the power added efficiency (PAE) is 56.3%. The increase in the device temperature when output power is 0.84 W is only ∼0.6 °C. This is due to diamond having the highest thermal conductivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 15, Issues 4–8, April–August 2006, Pages 783–786
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 15, Issues 4–8, April–August 2006, Pages 783–786
نویسندگان
M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki, T. Makimoto,