کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7059242 | 1458088 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Statistical phonon transport model for multiscale simulation of thermal transport in silicon: Part II - Model verification and validation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
جریان سیال و فرایندهای انتقال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In Part I, the statistical phonon transport (SPT) model for solving the phonon Boltzmann transport equation in a statistical framework was presented. In this part, verification and validation of the SPT model is performed. The three-phonon scattering model is evaluated by considering populations of phonons interacting within an enclosed volume of silicon. The capability of the SPT model to capture the unique aspects of phonon transport from the diffuse to the ballistic thermal transport regimes is verified. Steady-state and transient results are validated against analytical solutions, results from Monte Carlo models, and experimental data for homogeneous silicon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Heat and Mass Transfer - Volume 55, Issues 25â26, December 2012, Pages 7453-7459
Journal: International Journal of Heat and Mass Transfer - Volume 55, Issues 25â26, December 2012, Pages 7453-7459
نویسندگان
Thomas W. III, Edward Hensel,