کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7118096 | 1461373 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface and transport properties of gamma irradiated Au/n-GaP Schottky diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of 10 Mrad γ-ray exposure on the interface and transport properties of Au/n-GaP Schottky diode is studied in the 220-400 K temperature range. There is significant alteration in the interface and defect state density after irradiation. The Arrhenius plot of Ïac shows the presence of both shallow and deep trap states corresponding to activation energies 0.073 eV and 0.21 eV respectively. The influence of additional defects is reflected in the charge transport mechanism at low temperature regimes, where tunneling mechanisms are observed. The perceived transport and capacitance/conductance properties are ascribed due to further interfacial and deep defect state formation upon gamma irradiation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 74, February 2018, Pages 1-6
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 74, February 2018, Pages 1-6
نویسندگان
N. Shiwakoti, A. Bobby, K. Asokan, Bobby Antony,