کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7118160 | 1461373 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Free standing c-GaN films grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition on GaP (100) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Gallium nitride (GaN) films were synthesized by low pressure metalorganic chemical vapor deposition on GaP (100) substrates. Samples were grown using three-step growth method, which includes a) a nitridation process of the GaP surface, b) the growth of a GaN buffer layer and c) the growth of the high-temperature epilayer. X-ray diffraction, Raman spectroscopy and FESEM and HRTEM were used to study the changes in the surface, which suggests that the cubic phase nucleation takes place during nitridation process and remained at the top surface, which results in preferential growth of c-GaN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 74, February 2018, Pages 98-101
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 74, February 2018, Pages 98-101
نویسندگان
J.S. Arias-Cerón, H. Vilchis, D.M. Hurtado-Castañeda, V.M. Sánchez-R,