کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7118251 | 1461373 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The electrical properties and distribution of indium in germanium crystals
ترجمه فارسی عنوان
خواص الکتریکی و توزیع ایندیوم در بلورهای ژرمانیوم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Indium doped germanium crystals were grown in a hydrogen atmosphere using the Czochralski method. The electrical properties of indium doped germanium crystals were measured by Hall effect at 77Â K. The axial and radial distributions of indium in the germanium crystals were investigated. The effective segregation coefficient of indium in germanium is determined to be 0.0009 with the concentration of indium from 3 Ã 1012~1 Ã 1019Â cmâ3. The interface shape between melt and crystal determined the radial distribution of indium in germanium crystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 74, February 2018, Pages 342-346
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 74, February 2018, Pages 342-346
نویسندگان
Guojian Wang, Hao Mei, Xianghua Meng, Dongming Mei, Gang Yang,