کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7119578 | 1461418 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Leakage current by Frenkel-Poole emission on benzotriazole and benzothiadiazole based organic devices
ترجمه فارسی عنوان
جریان نشتی توسط انتشار فرنکل-پویل بر دستگاههای آوندی بنزواتیازول و بنزواتیداازول
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
In this study three different organic semiconductors were used in the fabrication of ITO/PEDOT:PSS/Polymer:PCBM/LiF/Al configuration. Reverse current density-voltage (Jr-V) measurements of the samples were investigated to define the reverse-bias leakage current mechanisms on benzotriazole and benzothiadiazole based organic devices. Our results indicate that the Jr-V plot behaviors are given by linear dependence between In ( Jr) and V1/2, where Jr is the reverse current density, and V is the applied voltage. This behavior is well known as the Poole-Frenkel (PF) effect where it is found to be dominating in the reverse-bias leakage current.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 28, December 2014, Pages 84-88
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 28, December 2014, Pages 84-88
نویسندگان
D.E. Yıldız, M. KarakuÅ, L. Toppare, A. Cirpan,