کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7119740 | 1461429 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metallic conduction behavior in selenium-hyperdoped silicon
ترجمه فارسی عنوان
رفتار هدایت فلزی در سیلیکن سلنیوم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سیلیکون، ایمپلنت یون بیش از حد سلنیوم، رسانایی فلزی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Hall measurements at 80-300Â K are performed on crystalline silicon doped with selenium exceeding the equilibrium solid solubility limit using ion implantation combined with furnace annealing. The temperature dependence of free carrier density and sheet conductivity of the Se doping layer changes with implantation dose. Metallic conduction behavior is well observed in the sample doped with selenium to be 7.4Ã1020/cm3. The overlapping between Se impurity states below Si conduction band might give a microscopic explanation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 17, January 2014, Pages 134-137
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 17, January 2014, Pages 134-137
نویسندگان
Shaoxu Hu, Peide Han, Peng Liang, Yupeng Xing, Shishu Lou,