کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150291 | 1462188 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performances of two-finger stacked fin quinary indium gallium zinc aluminum oxide thin-film transistors
ترجمه فارسی عنوان
اجرای ترانزیستورهای نازک آلومینیوم گالیم روی آلومینیوم با دو انگشت انباشته شده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
The two-finger stacked bottom gate and top gate fin indium gallium zinc aluminum oxide thin-film transistors (IGZAO TFTs) were fabricated. Since the bottom induced channel layer and the top induced channel layer were formed in the stacked TFTs using the bottom gate and the top gate, simultaneously. Consequently, drain-source current and transconductance of the stacked TFTs were enhanced about twice as those of the bottom gate TFTs and the top gate TFTs. The optimal performances of the stacked TFTs could be obtained, when the whole channel layer was induced as the carrier transportation path.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 145, July 2018, Pages 54-57
Journal: Solid-State Electronics - Volume 145, July 2018, Pages 54-57
نویسندگان
Li-Yi Jian, Hsin-Ying Lee, Yung-Hao Lin, Ching-Ting Lee,