کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150390 | 1462190 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Indium-oxide nanoparticles for RRAM devices compatible with CMOS back-end-off-line
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the fabrication and characterization of Resistive Random Access Memory (RRAM) devices based on nanoparticles in MIM structures. Our approach is based on the use of indium oxide (In2O3) nanoparticles embedded in a dielectric matrix using CMOS-full-compatible fabrication processes in view of back-end-off-line integration for non-volatile memory (NVM) applications. A bipolar switching behavior has been observed using current-voltage measurements (I-V) for all devices. Very high ION/IOFF ratios have been obtained up to 108. Our results provide insights for further integration of In2O3 nanoparticles-based devices for NVM applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 143, May 2018, Pages 20-26
Journal: Solid-State Electronics - Volume 143, May 2018, Pages 20-26
نویسندگان
Edgar A.A. León Pérez, Pierre-Vincent Guenery, Oumaïma Abouzaid, Khaled Ayadi, Solène Brottet, Jérémy Moeyaert, Sébastien Labau, Thierry Baron, Nicholas Blanchard, Nicolas Baboux, Liviu Militaru, Abdelkader Souifi,