کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151034 | 1462221 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compact modeling of subthreshold swing in double gate and nanowire MOSFETs, for Si and GaAs channel materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Compact modeling of subthreshold swing in double gate and nanowire MOSFETs, for Si and GaAs channel materials Compact modeling of subthreshold swing in double gate and nanowire MOSFETs, for Si and GaAs channel materials](/preview/png/7151034.png)
چکیده انگلیسی
In this work, an analytical model for the subthreshold swing of double gate and cylindrical nanowire MOSFETs is proposed. Using the Voltage Doping Transform, it is shown that a one-dimensional potential model is sufficient to obtain a high accuracy, provided that an effective oxide thickness is used. The validity of this model is then confirmed with TCAD simulations. Finally, the impact of quantum effects is discussed. Based on Density-Gradient simulations of Si and GaAs MOSFETs, it is shown that the model is still valid when quantum effects are accounted for.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 111, September 2015, Pages 188-195
Journal: Solid-State Electronics - Volume 111, September 2015, Pages 188-195
نویسندگان
G. Hiblot, Q. Rafhay, F. Boeuf, G. Ghibaudo,