کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151113 | 1462258 | 2012 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
PNP PIN bipolar phototransistors for high-speed applications built in a 180Â nm CMOS process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: PNP PIN bipolar phototransistors for high-speed applications built in a 180Â nm CMOS process PNP PIN bipolar phototransistors for high-speed applications built in a 180Â nm CMOS process](/preview/png/7151113.png)
چکیده انگلیسی
⺠Three speed optimized pnp phototransistors built in a 180 nm CMOS process are shown. ⺠A thick low doped intrinsic layer was implemented between base and collector. ⺠A thick base-collector space-charge region leads to high bandwidths. ⺠Optical characterisations were done at 410 nm, 675 nm and 850 nm. ⺠Bandwidths up to 76.9 MHz and dynamic responsivities up to 2.89 A/W were achieved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 49-57
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 49-57
نویسندگان
P. Kostov, W. Gaberl, M. Hofbauer, H. Zimmermann,