کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151179 | 1462262 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low frequency noise characterization in n-channel FinFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Low frequency noise characterization in n-channel FinFETs Low frequency noise characterization in n-channel FinFETs](/preview/png/7151179.png)
چکیده انگلیسی
⺠The carrier number fluctuations dominate the 1/f noise (80-300 K). ⺠The extracted oxide trap density certifies the quality of the gate oxide interface. ⺠Temperature analysis of the Lorentzian noise allowed to identify traps in the Si film. ⺠Correlation between these observed traps and some technological steps was made.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 20-26
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 20-26
نویسندگان
R. Talmat, H. Achour, B. Cretu, J.-M. Routoure, A. Benfdila, R. Carin, N. Collaert, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys,