کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151180 | 1462262 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved 1/f noise characterization of strained SiGe on insulator MOSFETs fabricated on wafers obtained by the Ge enrichment technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Low frequency noise behavior of compressively strained SiGe on insulator MOSFETs. ⺠cSi0.75Ge0.25 and cSi0.65Ge0.35 p- and n-channel, TiN/HfO2/SiO2 gate stacks. ⺠In PMOSFET devices front and back interface current noise follow the ÎN model. ⺠In NMOSFET devices front and back interface current noise follow the ÎN-Îμ model. ⺠Impact of the back interface noise source on the front interface current.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 27-32
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 27-32
نویسندگان
M. Valenza, J. El Husseini, F. Martinez, M. Bawedin, C. Le Royer, J.F. Damlencourt,