کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7151184 1462262 2012 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra-thin body and thin-BOX SOI CMOS technology analog figures of merit
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Ultra-thin body and thin-BOX SOI CMOS technology analog figures of merit
چکیده انگلیسی
► UTBB has a great potential for analog applications featuring high Id, Gm max and Av. ► Cut-off frequency as high as 220 GHz is achievable for 30 nm-long UTBB MOSFET. ► Effect of operation regime, substrate bias and channel width on Analog FoM is studied. ► Benchmarking of UTBB with other technologies as FD SOI, FinFETs, UTB is presented. ► Degradation of digital and analog FoM in temperature range up to 250 °C is very limited.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 50-58
نویسندگان
, , , , , , , , ,