کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151184 | 1462262 | 2012 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra-thin body and thin-BOX SOI CMOS technology analog figures of merit
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠UTBB has a great potential for analog applications featuring high Id, Gm max and Av. ⺠Cut-off frequency as high as 220 GHz is achievable for 30 nm-long UTBB MOSFET. ⺠Effect of operation regime, substrate bias and channel width on Analog FoM is studied. ⺠Benchmarking of UTBB with other technologies as FD SOI, FinFETs, UTB is presented. ⺠Degradation of digital and analog FoM in temperature range up to 250 °C is very limited.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 50-58
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 50-58
نویسندگان
V. Kilchytska, M.K. Md Arshad, S. Makovejev, S. Olsen, F. Andrieu, T. Poiroux, O. Faynot, J.-P. Raskin, D. Flandre,