کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7151186 1462262 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An analysis on the ambipolar current in Si double-gate tunnel FETs
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
An analysis on the ambipolar current in Si double-gate tunnel FETs
چکیده انگلیسی
► Influence of the TFET design parameters on the ambipolar current. ► Top and bottom contacts limit the ambipolar current. ► The scaling of the Silicon (Si) TFET is limited by the length of the drain spacer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 67-72
نویسندگان
, , , ,