کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151186 | 1462262 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An analysis on the ambipolar current in Si double-gate tunnel FETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: An analysis on the ambipolar current in Si double-gate tunnel FETs An analysis on the ambipolar current in Si double-gate tunnel FETs](/preview/png/7151186.png)
چکیده انگلیسی
⺠Influence of the TFET design parameters on the ambipolar current. ⺠Top and bottom contacts limit the ambipolar current. ⺠The scaling of the Silicon (Si) TFET is limited by the length of the drain spacer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 67-72
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 67-72
نویسندگان
Hraziia Hraziia, Andrei Vladimirescu, Amara Amara, Costin Anghel,