کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151187 | 1462262 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Subband engineering in n-type silicon nanowires using strain and confinement
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We computationally study the electronic structure of strained silicon nanowires. ⺠We explore the design space for nanowire devices spanned by strain and confinement. ⺠The device performance can be significantly improved by combining the two effects. ⺠Our results are in good agreement with recent experimental findings.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 73-80
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 73-80
نویسندگان
Zlatan StanojeviÄ, Viktor Sverdlov, Oskar Baumgartner, Hans Kosina,