کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151277 | 1462265 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Drain-current variability in 45Â nm bulk N-MOSFET with and without pocket-implants
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, the drain-current mismatch is characterized from linear to the saturation regime. Characterizations are performed for N-MOS transistors with and without pocket-implants. A general drain-current mismatch model for transistors without pocket-implants, valid for any operation region, is also presented. It has been shown that correlated mobility and threshold voltage fluctuations must be considered to qualitatively model the experimental results. A comparison between devices with and without pocket-implants is performed and an important drain-current mismatch enhancement in the latter case is reported and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volumes 65â66, NovemberâDecember 2011, Pages 163-169
Journal: Solid-State Electronics - Volumes 65â66, NovemberâDecember 2011, Pages 163-169
نویسندگان
Cecilia M. Mezzomo, Aurélie Bajolet, Augustin Cathignol, Gérard Ghibaudo,