کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151285 | 1462265 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quasi-planar bulk CMOS technology for improved SRAM scalability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Quasi-planar bulk CMOS technology for improved SRAM scalability Quasi-planar bulk CMOS technology for improved SRAM scalability](/preview/png/7151285.png)
چکیده انگلیسی
A simple approach for manufacturing quasi-planar bulk MOSFET structures is demonstrated and shown to be effective not only for improving device performance but also for reducing variation in 6T-SRAM read and write margins, in an early 28Â nm CMOS technology. With optimization of the pocket implant doses, voltage scaling is facilitated. Since its benefits increase with decreasing channel width, quasi-planar bulk MOSFET technology should be advantageous for future CMOS technology generations (22Â nm and beyond).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volumes 65â66, NovemberâDecember 2011, Pages 184-190
Journal: Solid-State Electronics - Volumes 65â66, NovemberâDecember 2011, Pages 184-190
نویسندگان
Changhwan Shin, Chen Hua Tsai, Mei Hsuan Wu, Chung Fu Chang, You Ren Liu, Chih Yang Kao, Guan Shyan Lin, Kai Ling Chiu, Chuan-Shian Fu, Cheng-tzung Tsai, Chia Wen Liang, Borivoje NikoliÄ, Tsu-Jae King Liu,