کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
726855 | 892653 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An etchant for delineation of flow pattern defects in heavily doped p-type silicon wafers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Secco etchant is conventionally used for delineation of flow pattern defects (FPDs) in lightly-doped Czochralski (Cz) silicon wafers. However, the FPDs in heavily doped p-type silicon wafers cannot be well delineated by Secco etchant. Herein, an etchant based on the CrO3HFH2O system, with an optimized volume ratio of V(CrO3):V(HF)=2:3, where the concentration of CrO3 is 0.25–0.35 M, has been developed for delineation of FPDs with well-defined morphologies for the heavily boron (B)-doped p-type silicon wafers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 3, June 2013, Pages 893–898
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 3, June 2013, Pages 893–898
نویسندگان
Tao Xu, Xinpeng Zhang, Xiangyang Ma, Deren Yang,