کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
727799 | 1461394 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The physical properties of nickel doped indium oxide thin film prepared by the sol-gel method and its potential as a humidity sensor
ترجمه فارسی عنوان
خواص فیزیکی فیلم نازک دی اکسید کربن نیکل ساخته شده توسط روش سل ژل و پتانسیل آن به عنوان حسگر رطوبت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سنسور، پوشش اسپین، آهن ربا
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Ni doped In2O3 (NixIn2−xO3: x=0.00, 0.02, 0.04, 0.06, 0.08 and 0.10) films have been successfully prepared by a sol-gel method. All films have nanograins, cubic structures and single phase. The Ni unsystematically affected the film thickness and surface roughness. All films showed high transmission percentage i.e. in the range of 92–99% at wavelength more than 380 nm. All films except film with x=0.02 and 0.06 have magnetic properties. It is also found that all of the films were sensitive towards the humidity changes and can be used as a humidity sensor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 53, October 2016, Pages 72–78
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 53, October 2016, Pages 72–78
نویسندگان
N.B. Ibrahim, A.Z. Arsad, Noratiqah Yusop, H. Baqiah,