کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728089 | 1461415 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band gap behavior of scandium aluminum phosphide and scandium gallium phosphide ternary alloys and superlattices
ترجمه فارسی عنوان
رفتار باند شکاف آلومینیوم فسفید اسکاندیم و آلیاژهای سه گانه فسفات اسکاندیم گالیم و ابررساناها
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Full-potential linear muffin-tin (FP-LMTO) has been implanted within density functional theory (DFT) and within local density approximation. The structural and electronic properties of GaP, AlP and ScP binary compounds and their ternary alloys ScxAl1−xP and ScxGa1−xP over a whole range of compositions (0≤x≤1) and the superlattices Sc0.25Ga0.75P/Sc0.5Ga0.5P and Sc0.25Al0.75P/Sc0.5Ga0.5P in the zinc-blende structure are investigated. The calculated resulted gave reasonable agreements with other published data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 31, March 2015, Pages 493–500
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 31, March 2015, Pages 493–500
نویسندگان
S. Benalia, M. Merabet, D. Rached, Y. Al-Douri, B. Abidri, R. Khenata, M. Labair,