کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728785 | 892852 | 2013 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
TiO2-based structures for nanoscale memory applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: TiO2-based structures for nanoscale memory applications TiO2-based structures for nanoscale memory applications](/preview/png/728785.png)
چکیده انگلیسی
TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) structures have attracted considerable attention due to their possible application in memory devices. In our review we summarize advances in preparation of TiO2 thin films focusing on atomic layer deposition, ALD. ALD is considered the most promising technology for memory application. We describe development of TiO2-based capacitors for dynamic random access memory, DRAM. It is concluded, that the TiO2-based capacitors may fulfill requirements for the 20 nm DRAM generation and beyond. Finally, current status in resistive switching in TiO2-based MIM structures is presented. Recent advances in the understanding of the resistive switching phenomena indicate their potential for use in memory devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 5, October 2013, Pages 1186–1195
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 5, October 2013, Pages 1186–1195
نویسندگان
K. Fröhlich,