کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728857 | 892857 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal desorption of Ge native oxides and loss of Ge from the surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The authors have identified oxidation and desorption processes of Ge native oxide by chemical bonding states measured by X-ray photoemission spectroscopy. Ge oxidation occurs at the temperatures of 450–500 °C in an oxidizing ambient. Ge desorption in nitrogen ambient is observed at the temperatures of 500–550 °C, which is higher than the oxidation temperature by 50 °C. Combined oxidation and desorption processes proceed subsequently and cause a loss of Ge from the surface when Ge is annealed in oxidizing ambient at a temperature higher than desorption temperature. The surface loss is avoided when Ge is annealed with SiO2 cap layer in an identical annealing condition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 13, Issue 3, September 2010, Pages 185–188
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 13, Issue 3, September 2010, Pages 185–188
نویسندگان
Jungwoo Oh, Joe C. Campbell,