کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
728877 | 892858 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
p-type conduction in ion-implanted amorphized Ge
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: p-type conduction in ion-implanted amorphized Ge p-type conduction in ion-implanted amorphized Ge](/preview/png/728877.png)
چکیده انگلیسی
The electrical transport properties of n-type crystalline-Ge amorphized by ion implantation have been determined by resistivity and Hall effect measurements in the 64–255 K temperature range. Amorphous layer was realized by implanting Ge+ ions in Ge single crystal maintained at ∼77 K at fluences above the amorphization threshold. The samples exhibited a surprising lower sheet resistance with respect of un-implanted crystalline Ge, resulting from positive charge carriers and very high mobility. Experimental observations are consistent with a p-type conduction induced by surface states and a high mobility channel at the amorphous-crystal interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 15, Issue 6, December 2012, Pages 703–706
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 15, Issue 6, December 2012, Pages 703–706
نویسندگان
L. Romano, G. Impellizzeri, M.G. Grimaldi,