کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729028 | 1461438 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spontaneous Ge island ordering promoted by partial silicon capping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
By means of atomistic simulations we demonstrate that this elastic repulsion drives a net flux of Ge and Si atoms from one side to the other side of the islands, leading to a lateral displacement of the whole island. This displacement ends when the two islands are sufficiently far away, or when another island is approached during the motion. In a dense ensemble of islands, this mechanism drives the tendency to order observed experimentally.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 4â5, AugustâOctober 2006, Pages 823-827
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 4â5, AugustâOctober 2006, Pages 823-827
نویسندگان
M. De Seta, G. Capellini, F. Evangelisti, V.A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, Leo Miglio,