کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729031 | 1461438 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of Mn5Ge3 nanoclusters in highly diluted MnxGe1âx alloys
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Films grown at TG=160 °C reveal the presence of Mn5Ge3 nanoclusters embedded into the Ge crystalline host matrix doped by residual Mn atoms. Mn5Ge3 nanoclusters show different features depending on the nominal Mn concentration in the MnxGe1âx films. However, results evidence the existence of an Mn concentration threshold, around x=0.01, below which crystallites formation is prevented. Our study evidences the relevant role of a suitable choice of the epitaxial growth parameters. These results make this material a promising candidate for spintronic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 4â5, AugustâOctober 2006, Pages 836-840
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 4â5, AugustâOctober 2006, Pages 836-840
نویسندگان
L. Morresi, J.P. Ayoub, N. Pinto, M. Ficcadenti, R. Murri, A. Ronda, I. Berbezier,