کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729077 | 1461439 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The structural damage and defects induced by femtosecond laser pulse in ZnSe single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The structural damage and defects induced by the near-infrared femtosecond pulse in ZnSe crystal were investigated by scanning electron microscope and the photoluminescence spectra, respectively. The structural damage exhibits the different morphologies with the focusing angles of laser. The induced thermal strain is estimated to be about 8.7×10−3. Two induced point defects, zinc vacancy and selenium-related defects can exist permanently in femtosecond-irradiated ZnSe crystal, and VSe is the main factor of influencing SA emission.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1–3, February–June 2006, Pages 151–155
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1–3, February–June 2006, Pages 151–155
نویسندگان
Huanyong Li, Wanqi Jie, Lan Yang, Shian Zhang, Zhenrong Sun, Kewei Xu,