کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729105 | 1461439 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The degradation of 2-MeV electron-irradiated C-doped SiGe diodes was investigated. After electron irradiation, the reverse current increases with increasing electron fluence, while the capacitance decreases. At the highest fluence studied (1×1016 e/cm2), a different behaviour of the reverse current with junction area was observed. DLT spectra show that a broad peak is observed for p+/n and n+/p diodes after 1×1015 e/cm2 electron irradiation. The degradation of the diodes is mainly attributed to the radiation-induced defects in SiGe layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1–3, February–June 2006, Pages 292–295
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1–3, February–June 2006, Pages 292–295
نویسندگان
K. Takakura, H. Furukawa, S. Kuroki, K. Hayama, T. Kudou, K. Shigaki, H. Ohyama, E. Simoen, G. Eneman, C. Claeys,