کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729249 | 1461416 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigations of solution variables in a contactless copper electrodeposition process for 3D packaging applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A novel electrochemical method for contactless electrodeposition of copper onto silicon wafers has been investigated. Deposition parameters such as applied current, concentrations of deposition solution and supporting electrolyte were optimized to achieve high deposition rates as well as homogenous deposition of copper. Copper sulfate solution temperature of about 65 °C was shown to be suitable for achieving stable and high values of current density that translated to copper deposition rates of~2.4 µm/min with good deposition uniformity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 30, February 2015, Pages 578–584
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 30, February 2015, Pages 578–584
نویسندگان
C. Weber, Z. Patterson, M. Zhao, R. Balachandran, R. Gouk, S. Verhaverbeke, F. Shadman, M. Keswani,