کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729309 | 1461417 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancement-mode In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with sol–gel processed gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Enhancement-mode In0.53Ga0.47As n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), with barium zirconate titanate (BZT) and titanium dioxide (TiO2) high-κ materials prepared via the solution–gelation process as gate dielectrics, have been fabricated. The dielectric constants of BZT and TiO2 are 6.67 and 19.3, respectively. The In0.53Ga0.47As MOSFET with TiO2 exhibits better electrical characteristics than the In0.53Ga0.47As MOSFET with BZT. These characteristics include higher maximum drain current density, higher maximum transconductance, and smaller subthreshold swing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 29, January 2015, Pages 272–276
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 29, January 2015, Pages 272–276
نویسندگان
Chih-Chun Hu, Cheng-En Wu, Hsien-Cheng Lin, Kuan-Wei Lee, Yeong-Her Wang,