کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729390 | 892890 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio study of point defects in dielectrics based on Pr oxides
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Formation energy - انرژی تشکیل شدهPraseodymium oxide - اکسید پراسئودیمیومBand offset - باند افستInterstitial - بینشدهVacancy - جای خالیLeakage current - جریان نشتیOxidation state - حالت اکسیداسیونCharge state - حالت شارژsilicate - سیلیکاتAb initio calculations - محاسبات اولیه ابتدائیDensity functional theory - نظریه تابعی چگالیPoint defects - نقص نقطهChemical potential - پتانسیل شیمیایی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We discuss the influence of band structures and point defects (oxygen vacancies and interstitials, and praseodymium vacancies) in Pr2O3, PrO2, and PrSiO3.5 on the electrical properties of high-K gate dielectrics for the application in CMOS technology. In particular, we consider the origin of fixed charges and leakage currents. We address these issues mostly from the perspective of ab initio calculations for formation energies, electronic structures, and band alignment between the film and the silicon substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 897-903
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 897-903
نویسندگان
J. Da¸browski, A. Fleszar, G. Åupina, Ch. Wenger,