کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729393 | 892890 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Relaxation of defects in amorphous barium titanate thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Relaxation of electrical defects in amorphous barium titanate thin films was studied by the thermally stimulated current (TSC) technique. We were able to detect at least three relaxation peaks in the TSC spectra. One is associated with activation energy of 0.65Â eV and is possibly related to electronic trap levels below the conduction band. Another one is associated with activation energy close to 1Â eV corresponding to the migration of positively charged oxygen vacancies within the films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 918-922
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 918-922
نویسندگان
F. El Kamel, P. Gonon, B. Yangui,