کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729401 | 892890 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical and interfacial characteristics of nanolaminate (Al2O3/ZrO2/Al2O3) gate stack on fully depleted SiGe-on-insulator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electrical and interfacial characteristics of nanolaminate (Al2O3/ZrO2/Al2O3) gate stack on fully depleted SiGe-on-insulator Electrical and interfacial characteristics of nanolaminate (Al2O3/ZrO2/Al2O3) gate stack on fully depleted SiGe-on-insulator](/preview/png/729401.png)
چکیده انگلیسی
The structural and electrical characteristics of a novel nanolaminate Al2O3/ZrO2/Al2O3 high-k gate stack together with the interfacial layer (IL) formed on SiGe-on-insulator (SGOI) substrate have been investigated. A clear layered Al2O3 (2.5 nm)/ZrO2 (4.5 nm)/Al2O3 (2.5 nm) structure and an IL (2.5 nm) are observed by high-resolution transmission electron microscopy. X-ray photoelectron spectroscopy measurements indicate that the IL contains Al-silicate without Ge atom incorporation. A well-behaved C–V behavior with no hysteresis shows the absence of Ge pileup or Ge segregation at the gate stack/SiGe interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 959–963
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 959–963
نویسندگان
Zengfeng Di, Miao Zhang, Weili Liu, Qinwo Shen, Zhitang Song, Chenglu Lin, Anping Huang, Paul K. Chu,